Alexander Gröschel

Lehrstuhl für Kristallografie und Strukturphysik
Staudtstr. 3
D-91058 Erlangen

Raum 1.021

Tel.: +49 9131 85-25186
Fax: +49 9131 85-25182

Doktorand

Meine Forschung

Die Bindung von metallischen Verunreinigungen in Halbleiter-Silizium an Sauerstoffpräzipitate (internal Gettering) ist von essentieller Bedeutung für die Funktion von Mikroprozessor-Chips.  Die fortschreitende Miniaturisierung der Chip-geometrien bedingt zunehmende Anforderungen an die Sensitivität der Charakterisierungsverfahren für Sauerstoffpräzipitate in Silizium. Ein hochsensitives Werkzeug hierfür stellt die Röntgenbeugung dar. In meiner Arbeit verwende ich einen defokussierten Laue Aufbau zur energiedispersiven Messung der Röntgen-Reflex-Intensität von Czochralski Silizium Wafern mit variierenden Sauerstoffpräzipitat-Populationen. Die Auswertung der so gewonnen Reflexintensität mit Hilfe der statistisch dynamischen Theorie zur Beugung von Röntgenstrahlen lässt in Kombination mit TEM-Daten auf die Verspannung des Kristall-Gitters durch die Sauerstoffpräzipitate schließen.